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A inspeção da bolacha de carboneto de silício

As principais áreas de aplicação de wafers de carboneto de silício são iluminação de estado sólido LED e dispositivos de alta frequência. O material possui excelentes características, como gap, velocidade de deriva, tensão de ruptura, condutividade térmica e resistência a altas temperaturas, que são várias vezes superiores às do silício tradicional, e tem vantagens insubstituíveis em campos de aplicação eletrônica, como alta temperatura, alta tensão, alta frequência, alta potência, fotoeletricidade, resistência à radiação, Aplicações de microondas e ambiente extremo, como aeroespacial, indústria militar e energia nuclear. O fornecedor exclusivo de cristal único de carboneto de silício na China está na posição de liderança absoluta em pesquisa e desenvolvimento, tecnologia, desenvolvimento de mercado e operação comercial, e dominou com sucesso a tecnologia central de crescimento de cristal SiC2 super-grande de 76mm (3 polegadas), atingindo o nível avançado internacional em 2001.


Na aplicação de dispositivos semicondutores, com a redução do custo de produção de carboneto de silício, o carboneto de silício pode substituir o silício como um chip devido ao seu excelente desempenho, que quebrará o gargalo do desempenho material dos chips de silício e trará mudanças revolucionárias para a indústria eletrônica. Os principais campos de aplicação de carboneto de silício são iluminação de estado sólido LED e dispositivos de alta frequência. No futuro, o mercado de luz de fundo de telefones celulares e notebooks proporcionará um enorme crescimento de demanda por carboneto de silício.


O polarizadoMedidor de estresseIndependentemente desenvolvido e produzido pela Suzhou PTC Optical Instrument Co., Ltd. pode ser usado para detectar defeitos de wafers de carboneto de silício, como arranhões, bolhas, sujeira, etc.


The Inspection of Silicon Carbide Wafer

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